TCHERNOV切爾諾夫線材之所以擁有如此優(yōu)異的性能表現,除了其優(yōu)質的材料選擇,同時它應用了多項專利技術。不僅自主研發(fā)了線芯(CABLE-CORE?)、半空氣間隔電介質綁扎(S A S D B? )、半空氣帶絕緣(SATI?)等多項專利技術;還特別引進了多元屏蔽系統(X-SHIELD?)以及多元屏蔽的第二代技術(X-SHIELD? SE)。
S A S D B? 技術
在TCHERNOV切爾諾夫的線材制作中,互相扭緊的絕緣導體會再被扎緊,這可以使線材的整體電介質特性以倍數提升。S A S D B?即半空氣間隔電介質綁扎技術,則是四層雙向交加P T F E(Teflon?)帶的繞制方式;而之后的三層(即隨后反向的3層)會有氣隙,最后一層有30%的覆蓋。這種技術的應用使線材的信號能量損耗大大降低,這么多的空氣間隔方式代替了部分實心的電介質物料,因為這會使相對電容率極低而不受頻率影響。再者,內部機械張力得到舒緩,震動得以有效吸收,同時又可令線身十分柔軟。
SATI?技術
SATI?(半空氣絕緣技術)是TCHERNOV切爾諾夫目前為止最為先進的單一導體絕緣方法,經過繞上一層冷凍、有孔、無極性電介質的帶子( P T F E , T e f l o n?)特氟龍),可以避免導體因熱而引致的壓力,也消除了銅在繞制時再結晶的現象,因此使導電能力和均勻結構都處于領先地位。此外,SATI?技術能保持PTFE帶有孔,形成半空氣的結構,這樣就可以使電介質的相對電容率和能量損耗大為降低。SATI?技術只應用于最高級的REFERENCE精致系列及ULTIMATE極致系列產品當中。